Appel d'offres pour Equipement combiné CIP-DRIE et spectrophotomètre pour photoluminescence < < in situ > > (< < Spectromètre de photoluminescence > >) (< < Spectromètre de photoluminescence > >) (< < Spectromètre de photoluminescence > >) (< < Spectromètre de photoluminescence > >) (< < Spectromètre de localisation > >) (< Spectromètre de photoluminescence > >) (< < Spectromètre de photoluminescence > >)

L'appel d'offres identifié avec le dossier MY25/IUTNA/S/75 est lié au secteur Fournitures. Cet appel d'offres, publié le 20 novembre 2025 et mis à jour pour la dernière fois le 20 novembre 2025, a pour objectif La technique de DRIE (Deep Reactive Ion Etching) consiste en la gravure profonde et très précise de matériaux semi-conducteurs, tels que le silicium, par un procédé de plasma réactif. Cette méthode permet la création de structures tridimensionnelles avec des profils verticaux et un rapport d'aspect élevé, ce qui est essentiel dans la fabrication de dispositifs photoniques et microélectro-électroniques (MEMS). Actuellement, le NTC travaille à la fabrication de dispositifs photoniques, mais il ne dispose pas d'une technique permettant d'effectuer des gravures profondes avec la précision et le contrôle offerts par le DRIE. La mise en œuvre de cette technique permettrait d'améliorer sensiblement la qualité et les fonctionnalités des composants fabriqués en ouvrant de nouvelles possibilités dans la conception et la fabrication de dispositifs avancés. La technique de spectroscopie de photoluminescence, directement intégrée dans la caméra d'une équipe CIP-DRIE, permettra une analyse précise et en temps réel des propriétés optiques des échantillons et de la géométrie des structures pendant le processus de gravure. Il permet également d'assurer une grande sensibilité et une résolution de spectre, en facilitant la mesure des signaux à faible intensité et en améliorant la capacité de surveillance dans les applications avancées. Sa mise en œuvre assure la compatibilité avec les systèmes de détection standard et offre une flexibilité dans la configuration expérimentale, ce qui renforce la polyvalence de l'équipement de recherche-développement dans les matériaux semi-conducteurs et les nanostructures. Le NTC reçoit de plus en plus de demandes externes pour la fabrication d'applications telles que miroirs optiques intégrés à des structures MEMS (micro-électroméchanical systems) ou détecteurs de tomographie médicale ou d'autres types de capteurs nécessitant des attaques profondes sur le silicium avec un facteur d'aspect élevé (25 ou supérieur) (ratio de profondeur sur la largeur d'une structure enregistrée) et tente actuellement de les réaliser avec un procédé de gravure plasma < < standard > > , mais ne permet pas de lancer des attaques avec un facteur d'aspect aussi élevé. Une équipe dédiée à l'attaque profonde du silicium (DRIE), que ce soit avec la méthode de la < < Bosch > > ou de la < < > > , permettrait de répondre à cette demande extérieure de plus en plus forte. L ' acquisition d ' un Équipe combinée CIP-DRIE et d ' un Spectrophotomètre pour la photoluminescence, qui représenteraient un progrès stratégique pour l ' Institut, tant en matière de recherche qu ' en matière de transfert technologique. Ce système permettrait d'effectuer des gravures de haute précision et de profondeur en silicium, ce qui est essentiel pour le développement de dispositifs photoniques et microélectroniques de dernière génération. Cette capacité améliorerait considérablement la compétitivité de l'institut, permettant la fabrication de structures tridimensionnelles complexes à haute résolution et uniformité. Cela permettrait non seulement de renforcer les projets internes, mais aussi d'attirer des collaborations avec des groupes de recherche et des entreprises nécessitant des procédés de microproduction avancés. En outre, le DRIE faciliterait l'accès à des projets de recherche compétitifs, en surmontant une contrainte actuelle due à l'absence de cette technologie. L'infrastructure demandée positionnerait le NTC comme une référence dans la fabrication de dispositifs nanophotoniques et MEMS, en alignant ses capacités sur les centres les plus avancés d'Europe. La capacité d'effectuer des gravures profondes et sélectives sur des plaquettes allant jusqu'à 8 pouces (compatible également avec 6 pouces et échantillons) constituerait un avantage distinct, consolidant le NTC comme un hub technologique unique dans son domaine. En définitive, cet équipement non seulement renforcerait l'avant-garde scientifique de l'institut, mais en renforcerait l'impact sur l'industrie en favorisant l'innovation en photonique intégrée et en micro-nanonfabrication.". La valeur estimée du contrat est de 375 000,00 € , avec un budget hors taxes de 375 000,00 € . La modalité de procédure est Ouvert, et actuellement son statut est Publiée.

Cet appel d'offres est localisé en Valencia, Valencia/València, ES, Comunidad Valenciana, ES. La source principale de cette information est Plataforma de Contratación del Sector Público .

L'appel d'offres est classé sous plusieurs codes CPV, incluant CPV, entre autres Machines et appareils microélectroniques (Aucun code: 31712100), entre autres.